Czochralski 法(直拉法)是半導體工業(yè)中用于生長高純度單晶硅(或其他單晶材料)的核心工藝。該方法由波蘭科學家 Jan Czochralski 于 1916 年發(fā)明,通過晶體提拉從熔融材料中生長出單晶。
在直拉工藝中,籽晶軸會以每分鐘 0.5 - 2 mm 的可控速度向上拉伸,在提拉的過程中,由于溫度呈梯度下降,熔融硅會在 1410 - 1420 °C 時(低于硅的熔點),在相變界面凝固成固態(tài)硅。通過精確控制拉伸的速度和溫度,生長出的晶體可達到所需的直徑。整個拉伸過程需要恒定的溫度控制,可能需要長達三天的時間。
在此工藝中,水作為溫控介質,對生長爐進行冷卻,LAUDA 可以精確控制晶體生長中的冷卻速度,幫助客戶最大限度地減少晶體缺陷,提高硅錠質量。同時,LAUDA 循環(huán)冷水機的可靠性對整個工藝至關重要,我們的 TCU 組件在設計上即有較長的使用壽命,可以在更長的時間內連續(xù)不間斷運行。